请问是否有必要将nand翻转允错位改为4b/512b

Test

因为发现似乎大部分的nand 纠错能力基本都在4b/512b，小于等于芯片纠错能力可保障数据可靠性，大于纠错能力值 则数据可靠性大大降低
请问是否有必要将默认的允错位 比例修改为4b/512b 或者1b/512b,每次手动修改有些累赘，越小的比例可能会导致数据校验出错？但是小比列可大大提高数据可靠性

admin

手动更改了比例，并保存进新的芯片中
Test 发表于 2021-8-9 11:03 [/quote]

这个可以，以后修改

Test

回复 3# admin


    感谢回复  是的，如果每个芯片都去查阅手册工作量非常大，这个不现实。那么是否可以在新增芯片时保存用户自行设定的允错位比例呢，目前新增芯片时 即使手动更改了比例也并不会被保存进新的芯片中。
因为既然是用户按手册自定义了芯片，那么还是可以使用手册推荐的参数的

admin

这个情况关系不大：编程如果出错不是几个位，会出现很多错误。
经过大量测试结论：你编程时不需更改这个参数，可靠性不会有问题，因为纠错位设置不一，出现错误这个概率相当低。

默认，设得最低8b的芯片->便用1b的设置，可以会出错，对不会使用的人，就会认为是编程错误。
而1b芯片用 8b设置，正常情况下，基本不会出现 2B 以上的错误。
如果每个芯片都需要按芯片手册设置，工作量很大 一下做不到。

另外在实际使用中，用户不一定按芯片的最底要求使用，现在大部分情况会使用4b以上的纠错方法

Test

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2021-8-8 22:19

以H27U2G8F2C为例，通过手册查询出其纠错能力是1b/512B，如果使用软件默认的8b/512B来读  软件允许读出的数据每512byte中有8位翻转，但是芯片纠错能力只有1位 这样是否会降低读出的数据可靠性，这样的数据再次写入芯片是否会引起异常
是否考虑将默认的nand纠错能力设置为最低比例档