标题:
求助T48(TL866-3G)编程W25M02GV校验错误
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作者:
湛蓝夜下
时间:
2023-6-7 23:07
标题:
求助T48(TL866-3G)编程W25M02GV校验错误
使用DS35Q2GA(ECC_DIS)@WSON8的数据写入
W25M02GV，在校验时候就出错，降低电压，提高电压，改低速，换编程器固件这些都试过，故障依旧。
下面是错误日志，希望大佬给分析一下原因，是不是芯片坏了
########################################################
APP Version : 12.57 Model : T48
Device : W25M02GV(x1+ISP) @WSON8
引脚接触检查通过!
ID: 0x EF AB 21 ......OK!
擦除NAND FLash : 完成, 耗时...2531 ms
写入Nand Flash ...
缓冲区文件大小: 270336KB
写入Nand Flash : 完成, 耗时...197.594 秒 -- Flash Size :270336 KB
校验Nand Flash ...
Block#1024 校验错误,错误字节数: 130763
Block#1025 校验错误,错误字节数: 130759
.........
Block#2046 校验错误,错误字节数: 4019
Block#2047 校验错误,错误字节数: 4028
校验数据错误,总发生块数: 1024
请在操作选项中，降低速度或更改VCC电压进行再次测试！
校验完成
图片附件:
微信截图_20230607230651.png
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微信截图_20230607230704.png
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http://forums.xgecu.com/attachment.php?aid=1865&k=6d47ec41be2fb20d5ded1cac069a773a&t=1714722221&sid=53zQ1T
作者:
admin
时间:
2023-6-9 15:27
回复
1#
湛蓝夜下
数据不能代换，这两个芯片完全不同，W25M02G 内部是2个1G的芯片。DS35Q2G，内部是一个2G的芯片，操作指令都不一样
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