标题:
求助T48(TL866-3G)编程W25M02GV校验错误
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作者:
湛蓝夜下
时间:
2023-6-7 23:07
标题:
求助T48(TL866-3G)编程W25M02GV校验错误
使用DS35Q2GA(ECC_DIS)@WSON8的数据写入
W25M02GV,在校验时候就出错,降低电压,提高电压,改低速,换编程器固件这些都试过,故障依旧。
下面是错误日志,希望大佬给分析一下原因,是不是芯片坏了
########################################################
APP Version : 12.57 Model : T48
Device : W25M02GV(x1+ISP) @WSON8
引脚接触检查通过!
ID: 0x EF AB 21 ......OK!
擦除NAND FLash : 完成, 耗时...2531 ms
写入Nand Flash ...
缓冲区文件大小: 270336KB
写入Nand Flash : 完成, 耗时...197.594 秒 -- Flash Size :270336 KB
校验Nand Flash ...
Block#1024 校验错误,错误字节数: 130763
Block#1025 校验错误,错误字节数: 130759
.........
Block#2046 校验错误,错误字节数: 4019
Block#2047 校验错误,错误字节数: 4028
校验数据错误,总发生块数: 1024
请在操作选项中,降低速度或更改VCC电压进行再次测试!
校验完成
图片附件:
微信截图_20230607230651.png
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图片附件:
微信截图_20230607230704.png
(2023-6-7 23:07, 45.45 KB) / 下载次数 4874
http://forums.xgecu.com/attachment.php?aid=1865&k=a157e6bbe1431d096b507f68d43ce514&t=1732316461&sid=5WPDG5
作者:
admin
时间:
2023-6-9 15:27
回复
1#
湛蓝夜下
数据不能代换,这两个芯片完全不同,W25M02G 内部是2个1G的芯片。DS35Q2G,内部是一个2G的芯片,操作指令都不一样
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